BSO211P参数：MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23.9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 15V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：P-DSO-8
